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雖然 Google 不太希望未來的手機支援快速充電技術,不過作為芯片生產商,高通芯片一直以極優秀的效能稱王。繼 Quick Charge 2.0 及 Quick Charge 3.0 技術後,消息指高通將會在下一代的 Snapdragon 830 處理器中加入 Quick Charge 4.0 技術。新技術底下,充電速度將會從 2.0 及 3.0 最大的 18W 一口氣提高至 28W,而為了配合新技術,高通還會推出名為 INOV 的新電壓系統。

新的 INOV 系統簡單來說就是智能調節電壓的系統,能有效檢測電池溫度,連接線的傳輸速度等,確保手機在高速,且安全的情況下充電,避免令電池超過負荷而爆炸 (在提醒三星嗎?)。雖然暫時仍很難判斷實際能縮短多少充電時間,不過既然 Snapdragon 830 將在 2017 年的第一季推出,相信大家可以很快就看到成效。

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